Инновационная платформа HPC®: принципиально новый подход
Платформа компании Comberry ™ состоит из технологического, аналитического оборудования, программного обеспечения и разработанной Intermolecular, Inc. Технологии HPC®. Это позволяет одновременно проводить группы экспериментов, результаты которых оперативно изучаются с применением специальной методики анализа на предмет выявления самых перспективных материалов и процессов для производства систем тонкопленочных покрытий. Используя платформу можно масштабировать полученные в лабораторных условиях результаты научно-технических исследований на производстве.

Комбинаторная технология по разработке тонкоплёнчных покрытий многократно ускоряет циклы исследований, повышает их эффективность, способствуя высокорентабельному и безболезненному внедрению инноваций в массовое производство.
Аналогов технологической платформы Comberry ™ нет ни в России, ни в Европе.
Комплексная платформа Comberry ™ позволяет в разы увеличить эффективность каждой стадии R&D процесса при нанесении тонкопленочных покрытий методами конденсации из газовой фазы (PVD, магнетронное распыление), а также нанесения с использованием жидкофазных материалов. Платформа дает широкий спектр исследовательских возможностей в области материаловедения многофункциональных тонкопленочных покрытий и оптимизации существующих технологических процессов.
Комплексная R&D платформа HPC® технологической компании Comberry включает в себя следующие модули:
Основная технологическая база размещается на площадке наноцентра ULNANOTECH (г. Ульяновск).
В Comberry ™ используется инфраструктура и компетенции Наноцентра г. Дубны в сфере электрохромных, гидрофобных и гидрофильных адгезионных материалов и инфраструктура Наноцентра г. Саранска в области силовой электроники.
Класс чистоты лаборатории Comberry ™ - ИСО-7.
Comberry ™ оказывает комплексные услуги по нанесению тонкоплёночных напылений, измерению, определению характеристик и анализу материалов покрытий
Команда высококвалифицированных специалистов Comberry ™, используя технологическую платформу способствует ускорению разработок, глубине понимания и открытию новых материалов. Инженеры Comberry ™ сопровождают заказчика на каждом этапе пути - от быстрого нанесения материалов и определения характеристик - до программ разработки.
Области применения платформы Comberry
|
1. R&D и прототипирование в полупроводниковой индустрии (Combinatorial Material Science).
1.1. Метод комбинаторного синтеза на одной пластине матрицы материалов (Material Libraries).
1.2. Разработка High-k диэлектриков и затворов (Gate Stacks).
1.2.1 Диоксид гафния (HfO2) и его силикаты — основа современных транзисторов.
1.2.2. Оксид алюминия (Al2O3) — управление интерфейсом и «капсуляция».
1.2.3. Оксид титана (TiO2) — экстремальный High-k для суб-нанометровых затворов.
1.3. Исследование новых материалов для межсоединений (Interconnects).
1.3.1. Осаждение ультратонких слоёв TaN, TiN, WN и их комбинаций.
1.3.2. Создание многослойных структур (TaN/Ta, TiN/Co, TaN/Ru) in-situ.
1.3.3. Контроль микроструктуры и плотности плёнок.
1.3.4. Комбинаторный поиск новых барьерных материалов.
1.3.5. Исследование новых материалов: 2D-материалы, самоформирующиеся барьеры.
2. Магнитная память (MRAM, Spintronics) и датчики.
2.2. Синтез магнитных сплавов со-распылением (CoFeB, сплавы Гейслера).
2.3. Сенсоры на гигантском (GMR) и туннельном (TMR) магнитном сопротивлении.
3. Энергонезависимая память нового поколения (ReRAM, PCRAM).
3.1. Резистивная память (ReRAM / Memristors).
3.1.1. Управление стехиометрией оксидов (TiOx, HfOx, TaOx, AlOx).
3.1.2. Комбинаторный поиск новых функциональных материалов.
3.1.3. Инженерия интерфейсов «Электрод — Диэлектрик».
3.1.5. Применение ионного источника для модификации слоев.
3.2. Память на изменении фазового состояния (PCRAM).
3.2.1. Синтез халькогенидных стекол (GeSbTe и родственные системы).
3.2.2. Очистка контактов и управление интерфейсами.
3.2.3. Реактивное напыление для подавления паразитных зёрен.
4. Нанофотоника, метаматериалы и плоская оптика (Metalenses).
4.1. Создание градиентных метаповерхностей.
4.1.1. Формирование градиента химического состава и индекса рефракции.
4.2. Напыление высокоиндексных бездефектных диэлектриков.
5. Фотовольтаика.
5.1. Перовскитные и тандемные солнечные элементы.
5.1.1. Напыление слоёв переноса зарядов (ETL/HTL) на основе оксидов металлов.
5.2. Высокоэффективные гетероструктурные солнечные элементы (HJT).
5.2.1. Напыление прозрачных проводящих оксидов (TCO).
6. Двумерные материалы (2D Materials) и наноэлектроника.
6.1. Барьеры Шоттки и контакты к 2D-материалам: формирование без разрушения моноатомного слоя.
|
6.2. Тонкоплёночные газовые сенсоры на основе 2D-оксидов (TiOₓ, WOₓ).
7. MEMS (Микроэлектромеханические системы).
8. Биомедицинские наноустройства и лаборатории-на-чипе (Lab‑on‑a‑Chip).
8.1. Биосовместимые покрытия и имплантаты.
8.1.1. Напыление ультратонких биосовместимых оксидов (TiO₂, Ta₂O₅).
8.1.2. Создание платформ для функционализации.
8.2. Плазмонные биосенсоры (поверхностный плазмонный резонанс).
8.2.1. Напыление ультратонких слоёв благородных металлов (Au, Ag) и их сплавов.
8.2.2. Интеграция с микрофлюидными системами.
9. Космическое приборостроение и радиационно-стойкая оптика.
9.1. Радиационно-защитные покрытия датчиков видимого и ИК-диапазона.
9.2. Отработка технологий для дальнего космоса и защита от атомарного кислорода (АО).
10. Прецизионная тензометрия и датчики физических величин (MEMS-сенсоры).
10.1. Ультравысоковакуумные датчики давления и деформации (тензорезисторы).
10.2. Тонкоплёночные термопары встроенного типа (in‑situ thermocouples).
11. Интегрированные пассивные устройства на кристалле (IPD – Integrated Passive Devices).
11.1. Тонкоплёночные прецизионные резисторы (TFR).
11.1.1. Реактивное напыление TaN с контролем стехиометрии.
11.1.2. Со-распыление для создания силицида хрома (CrSi) и других композиций.
11.2. MIM-конденсаторы (Metal‑Insulator‑Metal).
11.2.1. Осаждение High‑k диэлектриков для MIM-конденсаторов.
11.2.2. Формирование MIM-стека в едином вакуумном цикле.
11.2.3. Комбинаторный синтез для оптимизации диэлектриков.
12. Тонкопленочные твердотельные литий-ионные микроаккумуляторы и суперконденсаторы.
12.1. Напыление функционального стека батареи.
12.2. Cуперконденсаторы.
13. Алмазная электроника и квантовые сенсоры (NV-центры в алмазе).
14. Оптические нейроморфные вычисления и ИИ-чипы будущего (Integrated Photonics for AI).
14.1. Напыление ультратонких плёнок GST для фотонных волноводов.
14.2. Перспективные направления: сверхрешётки и новые PCM-материалы.
15. Высокоэнтропийные сплавы (High‑Entropy Alloys, HEA).
16. Электрохромные «умные» стёкла и покрытия для энергоэффективных зданий.
17. Умные (smart) материалы и покрытия с памятью формы (Shape Memory Alloys).
18. Молекулярная электроника и органические полевые транзисторы (OFET).
19. Термоэлектрические материалы.
20. Защитные и функциональные покрытия для топливных элементов и электролизёров (например, Pt, IrO₂, каталитические слои).
21. Тонкопленочные твердооксидные топливные элементы (TF-SOFC).
22. Отработка технологии межсоединений. Интеграция low-k и ultra-low-k диэлектриков.
23. Модификация поверхностей и текстурирование. Формирование микротекстуры.
24. Разработка новых химических материалов (R&D хим-поставщиков).
25. Настройка процессов для литографии и травления (Lithography & Patterning & Eatching).
26. Осаждение материалов из жидкой фазы (Wet Deposition).
27. Другие перспективные направления (в том числе жидкофазные процессы).
|

Comberry ™ приглашает заинтересованные предприятия для решения своих задач с целью сокращения финансовых и временных затрат на поиск передовых технологических решений.
Представление инфраструктуры по контракту:
Разработка тонкопленочных покрытий и устройств
Инфраструктура Comberry ™ может быть использована для нанесения PVD-покрытий, разработки тонких пленок и систем устройств, содержащих тонкопленочные покрытия.
Измерения
Команда Comberry ™ обладает всеми необходимыми компетенциями для проведения комплексного метрологического анализа образцов Заказчика.
Участие в НИР совместно с научными учреждениями, разработка научно-исследовательских проектов
Команда Comberry ™ используя собственную инфраструктуру может быть разработчиком НИОКР/ОКР, оказывая услуги по PVD-напылению, подбору и измерению материалов для тонкопленочных устройств, тестированию устройств.
Также инфраструктура Comberry ™ может предоставляться научным учреждениям для выполнения работ.
Лицензирование и передача технологий
Команда Comberry ™ выполняет как собственные, так и заказные опытно- конструкторские разработки, права на которые могут быть переданы или лицензированы заинтересованным физическим или юридическим лицам.
Создание производств по собственным технологиям
Команда Comberry ™ развивает несколько собственных стартап — проектов на основе собственных технологий и заинтересована в инвесторах и индустриальных партнеров для дальнейшего развития проектов
.
Технологическая платформа Comberry ™— R&D инфраструктура по ускоренной разработке многофункциональных тонкопленочных покрытий на стекла, керамику, металлы и полимеры.
Компания создана Наноцентрами Дубны, Ульяновска и Саранска в октябре 2013 года в сотрудничестве с компанией Intermolecular, Inc.
Продукт:
— прикладные научные исследования в сфере многофункциональных тонкопленочных покрытий на различные материалы.
Миссия Comberry ™ — предоставление возможности технологического развития инновационным компаниям России, призванным стать успешными производителями высокотехнологичных товаров.
Программы совместных разработок позволяют клиентам Comberry ™ повышать эффективность прикладных научных исследований и создавать большое количество объектов интеллектуальной собственности при резком сокращении сроков вывода новых продуктов на рынок.
Реализуемые проекты первой очереди:
прозрачные проводящие пленки (TCO)
тонкопленочные системы хранения энергии (суперконденсатор Thinika)
432072, г. Ульяновск, 44-й проезд Инженерный, дом 9
+7 (8422) 37-01-01
info@comberry.ru